使用传统的光刻技术，在标准半导体循环中使用 GaAs 高迁移率异质结构制造探测器。成像传感器是在单个晶片上制造的。该过程确保等离子体检测器参数的高度均匀性和可重复性（像素到像素偏差响应率在 20% 的范围内）。每个探测器单元都具有高达 50 kV/W 的室温响应度，带有读出电路和 1 nW/在 10 GHz — 1 THz 频率范围内的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发和随后的整流。纠正发生在电子系统中产生的特殊缺陷上。