190 至 1150 nm,硅检测器
650 至 1800 nm,InGaAs 探测器
1000 至 2300 或 2500 nm,InGaAs(扩展)检测器
光束直径 ~100 µm 至 ~3 mm(1.5 mm 加长 InGaAs)
25 µm 狭缝对与 Si;0.1 到 2 µm 采样间隔
50 µm 狭缝对,带 InGaAs;0.1 到 2 µm 采样间隔
实时±1 mr 实时发散和指向测量精度
端口供电的 USB 2.0;灵活的 3 m 电缆
0.1 µm 采样和分辨率
线性和对数 XY 轮廓,质心
轮廓缩放和狭缝宽度补偿
实时 多Z平面扫描狭缝系统
实时 XYZ 轮廓,焦点位置
实时 M²、发散、准直、对准
激光打印和打标
医用激光器
二极管激光系统
光纤电信组件聚焦——用于重新成像波导和光纤末端的 LensPlate2™ 选项
开发、生产、现场服务
连续波;脉冲激光,Φ µm ≥ [500/(PRR in kHz)]
使用可用的 M2DU 平台进行 M² 测量
规格 | 细节 |
---|---|
波长 | Si 检测器:190 至 1150 nm InGaAs 检测器:650 至 1800 nm Si + InGaAs 检测器:190 至 1800 nm Si + InGaAs(扩展)检测器:190 至 2300 或 2500 nm |
扫描光束直径 | Si 检测器:5 µm 到 4 mm,Knife-Edge 模式下到 2 µm InGaAs 检测器:10 µm 到 3 mm,Knife-Edge 模式下到 2 µm InGaAs(扩展)检测器:10 µm 到 2 mm,到 2 µm Knife-Edge 模式 |
平面间距(CM4 型号) | 5 毫米:-5、0、+5、+20 毫米 |
平面间距(CM3 型号) | 10 毫米:-10、0、+10、0 毫米 |
Beam Waist 直径测量 | 符合 ISO 11146 的二阶矩 (4s) 直径;适合的 Gaussian 和 TopHat 1/e² (13.5%) 宽度 用户可选择的峰值百分比 Knife-Edge 模式*,适用于非常小的光束 |
Beam Waist 位置测量 | 在 X、Y 和 Z 方向上 ± 20 µm 最佳 |
测量源 | 连续波;脉冲激光,Φ µm ≥ [500/(PRR in kHz)] |
分辨率精度 | 0.1 µm 或扫描范围的 0.05% ± < 2% ± = 0.5 µm |
M² 测量 | 1 至 > 20,± 5% |
发散/准直,指向 | 1 mrad best |
最大功率和辐照度 | 1 W 总计 & 0.5 mW/µm² |
增益范围 | 1,000:1 切换 4,096:1 ADC 范围 |
显示的图形 | XYZ 位置和轮廓,缩放 x1 到 x16 |
更新率 | ~5赫兹 |
通过/失败显示 | 屏幕上可选择的通过/失败颜色。质量保证和生产的理想选择。 |
平均值 | 用户可选择的运行平均值(1 到 8 个样本) |
统计数据 | 长时间的最小值、最大值、平均值、标准偏差日志数据 |
XY 轮廓和质心 | Beam Wander 显示和记录 |
最低电脑要求 | Windows、2 GB RAM、USB 2.0/3.0 端口 |
▼ 电话:010-64936494 ▼ 邮箱:sales@lier-opto.com ▼